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碳化硼是一種新型非氧化物陶瓷材料，因其具有熔點(diǎn)高、硬度高、密度低、熱穩(wěn)定性好、抗化學(xué)侵蝕能力強(qiáng)和中子吸收能力強(qiáng)而被應(yīng)用于國(guó)防軍工領(lǐng)域，在國(guó)民安全的維護(hù)中發(fā)揮著重要的作用。碳化硼陶瓷的制備熱壓燒結(jié)熱壓燒結(jié)由于高...

超高溫陶瓷(UHTCs)通常指熔點(diǎn)超過(guò)3000℃，并在極端環(huán)境中保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)的一類特殊陶瓷材料，通常包括過(guò)渡金屬硼化物、碳化物、氮化物及其復(fù)合材料。閱讀鏈接：1、熱壓燒結(jié)設(shè)備2、氣壓燒結(jié)設(shè)備3、無(wú)壓燒結(jié)設(shè)備4、反應(yīng)...

SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)

高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述導(dǎo)  讀碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生...

 1 硅的瓶頸與寬禁帶半導(dǎo)體的興起1、 Si 材料的歷史與瓶頸上世紀(jì)五十年代以來(lái)，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的帶...